来上海这场芯动科技发布会,亲眼见证国产LPDDR6 IP拿下韩系巨头,3nm全覆盖的高端存储接口新突破

来上海这场芯动科技发布会,亲眼见证国产LPDDR6 IP拿下韩系巨头,3nm全覆盖的高端存储接口新突破

7月29日,快科技报道指出,国内IP设计公司芯动科技于上海举办发布会,正式确认其自研的LPDDR6/5X Combo内存接口IP已获得一家韩国主流DRAM大厂采用。尽管官方未公开客户全称,但业内推测该目标锁定三星或SK海力士。

这款LPDDR6 IP单通道传输速率飙升至14.4Gbps,较上代LPDDR5X幅度提升约50%。这一飞跃源于架构革新:传输通道由16位拓宽至24位,使得单芯片峰值带宽可达38.4GB/s。

功能层面,该IP集成了ECS自动与手动校准、Link ECC纠错、DVFSL动态调压以及x24/x48突发模式等特性。针对AI大模型长上下文场景下高频KV Cache读写的需求,团队进行了端到端的时序优化及信号完整性仿真迭代,显著抑制了传输抖动与信号损耗。

值得注意的是,该IP全程使用国产EDA工具集打造,工艺节点覆盖从28nm直至3nm。芯动科技透露,其IP已累计助力超100亿颗SoC实现量产。此次斩获韩国巨头订单,标志着国产IP在高端存储接口领域实现了真正的反向输出。

发布会上,芯动科技还亮出了完整的高端存储与互联IP矩阵,包括HBM4、GDDR7、DDR5 MRDIMM、PCIe 6.0及224G SerDes等方案。三星、台积电、中芯国际等30余家产业链头部企业到场参会。