芯片制造流程里，光刻机堪称是核心装备。尤其是EUV光刻机，它是生产七纳米以下芯片的关键，全球唯有ASML供货，美国又不准ASML将它卖给我们，所以它的分量可想而知。正因没有EUV光刻机，我们在踏入七纳米以下领域时步履维艰。即便不断取得突破，即便动用多重曝光技术造出七纳米、五纳米产品，其良率和成本依旧处于劣势。
不过话说回来，芯片制造若持续到三纳米、两纳米阶段，物理和经济两道门槛同时出现，晶体管微缩这条路就走到了尽头。芯片发展由此迈入新纪元。这个新阶段，便是3D技术，无论是指堆叠，还是3D封装，总之要把原本平面的芯片做成立体状，以此不必一味缩小晶体管，也能提升性能。
进入3D技术范畴，决定性的设备可能不再是光刻机。有两样较重要的装备值得关注，一种是刻蚀机，一种是混合键合机。刻蚀机主要用于芯片制造，混合键合机则用于封装。所以前端制造这里，最重要的其实是刻蚀机。刻蚀机与光刻机的作用，实际是相得益彰的。光刻机负责将芯片电路图通过光线转移到硅晶圆上，而刻蚀机则是将转移好的硅晶圆上不需要的部分侵蚀掉，只留下需要的部分。
芯片平面构造时，光刻机地位更突出。但在立体结构里，晶体管排列更为繁复，刻蚀机所起作用越来越大，其重要性反而超过了光刻机。可以说，刻蚀才是决定芯片性能的关键工艺。并且与光刻机处境不同，我国在刻蚀机方面已经站在世界顶尖行列。国内刻蚀机实力最强的当属中微公司，中微公司早已打入台积电供应链，其工艺水准早就达到三纳米层级，丝毫不输给全球顶尖企业。
再者，中微公司的刻蚀机已经实现零部件全部百分之一百国产化，真正做到了独立自主，不倚仗任何国外技术和元件，因而根本不必担心受制于人。因此，随着芯片技术不断前行，进入3D时代时，我们的底气和信心会更足，配合华为的突破性进展，中国芯片产业腾飞，已然是势不可挡。
